Primi chip a 0.065 micron da Intel - Intel ha annunciato di aver completato la produzione dei primi chip di memoria SRAM costruiti con processo produttivo a 65 nanometri. Intel prevede di iniziare la produzione in massa nel 2005 su wafer da 300mm di diametro.

Intel ha annunciato di aver completato la produzione dei primi chip di memoria SRAM costruiti con processo produttivo a 65 nanometri. Intel prevede di iniziare la produzione in massa nel 2005 su wafer da 300mm di diametro.

Il chip di SRAM (Static Random Access Memory) con capacità di 4 Mbit è stato prodotto con tecnologia a 0,065 micron, tramite i quali è stato possibile costruire celle di 0.57µ2 contenenti 6 transistor. La produzione di chip SRAM con un nuovo processo produttivo è il primo passaggio che si effettua quando si opera con una nuova catena produttiva poichè si tratta della semplice realizzazione. Il processo a 0,065 micron (basato inoltre basato sulle tecnologie strained silicon, interconnessioni in rame e low-k dielectrics) permetterà di integrare il doppio dei transistor in un chip rispetto ad oggi, esso sarà inoltre utilizzato per costruire i futuri processori con nome in codice "Tejas" che succederanno al Prescott nel 2005.